Регистрация    Войти
Авторизация
» » » » Разработано устройство, которое заменит флешки

Разработано устройство, которое заменит флешки

Категория: Позиция » Новости Позиция » Наука и IT

Разработано устройство, которое заменит флешки Об этом рассказал Алексей Заблоцкий, кандидат физико-математических наук, заместитель декана факультета физической и квантовой электроники, заместитель руководителя Центра коллективного пользования МФТИ, пишет telegraf.com.ua. 

 

"Один из интересных и перспективных текущих проектов — создание прототипов устройств функциональной наноэлектроники, т. е. прототипов запоминающих устройств с перспективой внедрения через 3–5 лет.

 

Речь идет о функциональных элементах резистивной памяти, которые могут заменить привычные всем нам флешки, — рассказал Заблоцкий. — Устройство в общем простое, своего рода "слоеный пирог": металл – изолятор – металл, однако по производительности он превосходит привычную нам флеш-память.

 

Для конечного пользователя пока эти устройства не представляют особенного интереса, еще слишком маленький объем данных можно на них записать. Однако то, что в принципе эта задача решаема, – уже доказано. Причем не только теоретически (научных статей на эту тему много), но и опытным путем. И это тоже одна из наших задач – подтвердить на практике: это действительно работает".

 


КОММЕНТАРИИ (5)
Mislitel 19 марта 2013 01:55
Этож в старых диффузионных (бездрейфовых) транзисторах экситоны прямо инжектируются эмиттером в базу транзистора и диффундируют к коллектору? Хм-м. может здесь тоже чегото можно попробовать? Ну да ладно, уже поздно, пора спать, а то завтра на работу рано вставать.
          5
Prepod 19 марта 2013 01:43
Эй, Мыслитель хренов! Вопервых количеству энергетических уровней атомов примеси, а вовторых термостимулированная ФОТОпроводимость. Ну а так, все вроде правильно. Можно ставить твердую троечку.
          4
Mislitel 19 марта 2013 01:29
Сам дурак!
          3
Homa 19 марта 2013 01:21
Во во, именно ГОНИШ!
          2
Mislitel 19 марта 2013 01:16
Самая емкая память на экситонах. Каждый экситон в полупроводнике имеет свою энергию связи. Количество этих уровней энергии не менее чем количество атомов в кристале. Таким образом сообщая недостающую до разрыва энергию можно высвобождать электроны проводимости в кристалле полупроводника. Записывать можно например оптическим путем подавая кванты различной энергии или изменяя условия их приема в кристале. Считывание - например нагреванием. В физике полупроводников известен эффект так называемой термостимулированной проводимости. Реально это выглядит примерно так - осветил фоторезистор импульсами света с нарастающей энергией квантов, а потом медленно нагреваеш и сопротивление фоторезистора импульсно меняется повторяя запись. Сам пробовал, на сульфиде Кадмия - в принципе получается. Можно также считывать и на излучательной рекомбинации экситонов, т. е. организуеш рекомбинационные центры (атомы примеси) и гониш фононным ветром экситоны на этот участок. При рекомбинации выход тоже оптический..
          1